钨钛合金靶材新型半导体芯片薄膜材料
发布时间：2022-04-12 作者：材料类科研服务平台 阅读量：570
新型半导体芯片选择钨钛合金靶材作为扩散阻挡层和键合层的主要原因是该合金具有良好的表面附着力和优异的散热性能，因此，制备的产品将具有更高的综合性能。
钨钛合金的制备方法
1、取一定量的钨粉和钛粉，在惰性气氛保护下混合均匀。
2、使用机械压力机或冷等静压机将所得混合材料压制成坯料。
3、将生产出来的毛坯放入真空烧结炉中进行致密化和烧结。
4、将步骤3中烧结的钨钛材料冷却后，在非自耗真空电弧炉中熔炼得到产品。
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