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钽钨(TaW)合金靶材 ¥260.00


高纯3N5(99.95%)钽钨靶材,价格以当日报价为准,需联系销售报价!!!


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商品详情

市场参考价格:¥260.00/Pc左右,价格仅供参考,如有需要,请咨询报价,以当日报价为准!

产品名称: 钽钨(TaW) 合金靶材

纯度:3N5

尺寸: 75x75x0.5mm 或者 按图纸定制


钽钨合金靶材是由金属钽 和钨通过粉末冶金或熔炼等工艺制成的不同比例(常见的是 Ta-10W,即含10%钨的钽合金)的合金材料,并加工成特定形状(如圆形、矩形)的靶材。用于薄膜沉积技术的关键材料,在半导体、光学等领域应用广泛。


钽钨合金靶材性能特点

物理性能:结合了钽和钨的优点,具有高熔点、高密度的特点,其熔点可达 3000℃左右,密度在 16g/cm³ 左右。同时,还具备良好的导电性和导热性,能在高温环境下保持稳定的性能。
机械性能:相比纯钽,钽钨合金靶材的强度和硬度更高,如通过直流磁控溅射制备的异质结构纳米晶钽钨合金薄膜,硬度值可达 9.6GPa - 13.8GPa,且保留了一定的塑性。
化学性能:具有优异的耐腐蚀性,在酸碱等环境中表现稳定,不易与反应气体发生副反应,能保证溅射过程的稳定性和薄膜质量。


钽钨合金靶材


钽钨合金靶材制备方法

粉末冶金法:先将钽粉与钨粉按比例混合,通过球磨等方法使其均匀混合,然后将混合粉末置于模具中压制成坯料,后进行烧结处理,如热压、热等静压、放电等离子烧结等,可获得成分均匀、显微结构细密的靶材。
电子束真空熔炼法:在真空环境下,利用电子束加热钽和钨原料,使其熔化并混合均匀,然后浇铸成靶材坯料,该方法能有效去除杂质,提高靶材纯度。


钽钨合金溅射靶材


钽钨合金靶材应用

半导体行业:可用于制备铜互连扩散阻挡层,阻挡铜原子扩散至 SiO₂层,还可作为存储器件如 DRAM、3D NAND 的电极材料,以及用于制备半导体器件中的金属化层、接触电极等。
光学镀膜领域:用于制备高反射率涂层,如激光镜片、望远镜反射镜的涂层,以及光学滤波器,可选择性透过特定波长的光,还可与铟锡氧化物(ITO)复合用于 TFT - LCD/AMOLED 透明导电膜。
刀具涂层领域:通过磁控溅射等方法在刀具、钻头表面镀上钽钨合金薄膜或其氮化物、碳化物涂层,如 TaN、TaC 等,可提升刀具的硬度与耐磨性,延长刀具使用寿命。