高纯5N（99.999%） 铝硅铜合金靶材，价格以当日报价为准，需联系销售报价！！！
元素 ： AlSiCu
纯度 ： 4N
形状 ： 平面靶材
包装 ： 真空包装、纸箱、木箱
所有订单均提供正式发票，另外依据客户需要提供正式报价单和合同
市场参考价格：¥1350.00/Pc左右，价格仅供参考，如有需要，请咨询报价，以当日报价为准！
产品名称： 铝硅铜 （ AlSiCu 98/1/1 wt% ）合金靶材
纯度：4N
尺寸： D50.8x3mm 或者 按图纸定制
铝硅铜合金靶材主要由铝（Al）、硅（Si）和铜（Cu）三种元素组成。通过调整成分比例（常见比例为 Al-Si-Cu（如Al-1%Si-0.5%Cu）），可优化其导电性、热稳定性和机械性能。广泛应用于微电子、光学镀膜、显示技术等领域。
铝硅铜合金靶材性能特点
良好的导电性：铝、硅、铜三种元素的结合使得合金靶材具有优异的导电性能，能够满足电子器件等领域对高导电材料的需求，可用于制造集成电路中的金属互连线等。
高耐腐蚀性：硅和铜的加入增强了铝的耐腐蚀性，使其能够在恶劣的环境条件下长期使用，不易被氧化或腐蚀，提高了镀膜产品的稳定性和使用寿命。
抗电迁移能力强：在电流作用下，金属离子会发生迁移，而铝硅铜合金靶材中铜的存在大大提高了其抗电迁移能力，减少了因电迁移导致的薄膜失效问题，提高了电子器件的可靠性。
良好的热稳定性：可以在较高温度下保持稳定的性能，不会因温度变化而发生明显的变形、开裂或性能下降等问题，适用于高温镀膜工艺和在高温环境下工作的器件。
优异的加工性能：具有良好的可塑性和可加工性，易于进行锻造、轧制、切割、研磨等加工工艺，能够制成各种形状和尺寸的靶材，满足不同应用场景的需求。
铝硅铜合金靶材制备方法
原料准备：根据应用需求（如半导体、显示镀膜）确定Al、Si、Cu的比例（例如Al-1%Si-0.5%Cu，重量百分比）。需严格控制杂质含量（如Fe、O等）。
熔炼与合金化：在真空或惰性气体（Ar）保护下熔炼，防止氧化。先熔化铝和铜，再加入硅（硅熔点高，需高温或预合金化）。电磁搅拌确保成分均匀，熔炼温度控制在800~1000℃。将熔融合金浇入预热（200~300℃）的金属模具中，形成铸锭。
退火工艺：铸锭在500~550℃下保温12~24小时，消除成分偏析，改善组织均匀性。
成型：铸锭加热至400~500℃进行热轧或锻造，逐步变形至所需厚度。
铝硅铜合金靶材应用
半导体制造：用于集成电路互连线、焊盘镀层，替代纯铝以提高可靠性。
平板显示：液晶（LCD）或OLED面板的电极镀膜，增强导电性和耐腐蚀性。
光学涂层：制备反射镜或装饰性镀层。
耐磨涂层：因其良好的耐磨性，可用于工具、轴承等表面镀膜。
