陶瓷基片_氮化硅陶瓷基片价格-鑫康科研材料生产厂家

氮化硅陶瓷基片（Si3N4） ¥1.00

氮化硅陶瓷基片，价格以当日报价为准，需联系销售报价！！！

元素： Si

形状：片

规格： g

包装：真空包装、纸箱、木箱

询问价格

所有订单均提供正式发票，另外依据客户需要提供正式报价单和合同

商品详情

市场参考价格：¥1.00左右，价格仅供参考，如有需要，请咨询报价，以当日报价为准！

陶瓷基片，又称陶瓷基板，是以电子陶瓷为基的，对膜电路元件及外贴切元件形成一个支撑底座的片状材料。陶瓷基片具有耐高温、电绝缘性能高、介电常数和介质损耗低、热导率大、化学稳定性好、与元件的热膨胀系数相近等主要优点，但陶瓷基片较脆，制成的基片面积较小，成本高。实际生产和开发应用的陶瓷基片材料有Al2O3、AlN、Si3N4、BeO、BN、ZrO2和玻璃陶瓷等。

氮化硅陶瓷基片是一种烧结时不收缩的无机材料。它是用硅粉作原料，先用通常成型的方法做成所需的形状，在氮气中及１２００℃的高温下进行初步氮化，使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅，然后在１３５０℃～１４５０℃的高温炉中进行第二次氮化，反应成氮化硅。用热压烧结法可制得达到理论密度９９％的氮化硅。在室温下Si3N4陶瓷的导热率范围在10到16 W.m -1.K -1之间。

分子式	Si3N4
相对分子质量	140.28
颜色	灰色、灰黑色
晶系	六方晶系。晶体呈六面体
陶瓷片制备方法	热压法
相对密度	99.5%
密度	3.2+/-0.02 g/cm3
莫氏硬度	9~9.5
熔点	1900℃（加压下）。通常在常压下1900℃分解
热膨胀系数	2.8~3.2×10-6/℃(20~1000℃)
比热容	0.71J/(g·K)
热导率	15~ 20W/(m·K)
弹性模量	300~320 GPa
断裂韧性	6.0~7.0 MPa.m
抗弯强度	650~750 Mpa
韦泊模数	10~12
溶解度	不溶于水。溶于氢氟酸。
氧化温度	在空气中开始氧化的温度1300~1400℃