市场参考价格：￥1.00左右，价格仅供参考，如有需要，请咨询报价，以当日报价为准！
碳化硅
同第一代半导体材料硅(Si)、 锗(Ge)和第二代半导体材料砷化镓(GaAs)、 磷化液(InP)相比， 第三代半导体材料碳化硅(SiC)因禁带宽度大(3.2 eV， 约 3 倍于硅基材料)、 临界击穿电场强度高(10倍于硅基材料)、 电子饱和迁移速率大(2 倍于硅基材料)、 电子密度高、 热导率高(3 倍于硅基材料)、 介电常数低， 具备高频高效、耐高压、 耐高温、 抗辐射能力强以及化学性质稳定等诸多优越性能， 因而能制备出在高温下运行稳定， 在高电压、 高频率等极端环境下更为稳定的半导体器件， 是支撑固态光源和电力电子、 微波射频器件的“核芯” 材料和电子元器件， 可以起到减小体积简化系统， 提升功率密度的作用， 在半导体照明、 5G 通信技术、 太阳能、 智能电网、 新能源并网、 高速轨道交通、 国防军工、 不间断电源、 新能源汽车、 消费类电子、 快充、 无线充等战略新兴领域有非常诱人的应用前景， 对节能减排、 产业升级有着极其重要的作用， 正成为全球半导体产业新的科技制高点和新一轮科技革命的钥匙。
晶体结构 | 六方（a=3.08Å，c=15.08Å） |
纯度 | 99.99% |
介电常数 | e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 |
晶向 | ＜001＞±0.5o |
尺寸 | dia2”×0.33mm dia2”×0.43mm,15×15 mm |
抛光 | 单面或双面抛光 |
表面粗糙度 | ≤5Å |
封装 | 100级超净袋、单片或多片晶元盒 |
产品可加工定制，根据材质及规格不同，均有差异
如需更多详情请欢迎电话咨询获得更多优惠!
